MBR20040CT
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | MBR20040CT |
---|---|
Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
80+ | $90.138 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 650 mV @ 100 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 40 V |
Technologie | Schottky |
Supplier Device-Gehäuse | Twin Tower |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | Twin Tower |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Bulk |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 mA @ 20 V |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 200A (DC) |
Grundproduktnummer | MBR20040 |
MBR20040CT Einzelheiten PDF [English] | MBR20040CT PDF - EN.pdf |
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
MOTOROLA New
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
IGBT Modules
IGBT Modules
MOTOROLA New
IGBT Modules
DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER
IGBT Modules
IGBT Modules
DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER
MOTOROLA New
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
MBR20030CTL MOTOROLA
DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER
MOTOROLA New
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MBR20040CTGeneSiC Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|